IPD50P04P4L11ATMA2-HXY

该P沟道场效应管额定漏极电流80A， 漏源击穿电压40V， 导通电阻7.3毫欧。 低导通电阻特性有助于降低通路损耗， 提升电源转换效率。 器件适用于笔记本电脑主板供电、电池组保护模块及手持设备电源管理电路。 在负载开关与极性保护应用中， 其高电流承载能力支持紧凑布局， 满足消费电子与通信终端对功率密度和热性能的严格要求。