IPD50P04P4L11ATMA1-HXY

该P沟道场效应管具备80A连续漏极电流能力， 漏源击穿电压为40V， 导通电阻低至7.3mΩ。 其低阻抗特性显著降低了大电流路径上的功率损耗与温升， 适用于高侧电源开关、电池保护电路及负载切换模块。 该器件能够在紧凑的电路板布局中提供高效的电流控制， 满足便携式设备及高性能电源管理单元对空间与热性能的严格要求。