IPD50P03P4L11
IC
TO-252
可供量大可议
IPD50P03P4L11
特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试。 用于反向电池保护
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
75
货期
现货
IPD50P03P4L11参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
IPD50P03P4L11概述
特性：P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试。 用于反向电池保护
IPD50P03P4L11特性
暂无产品特性。
IPD50P03P4L11应用领域
暂无应用领域。