IPD50P03P4L-11-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD50P03P4L-11-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型MOSFET器件， 采用Trench工艺制造， 适用于各种电源管理应用场景。 TO252； P—Channel沟道, -30V； -60A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
82
货期
现货
IPD50P03P4L-11-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 82 |
IPD50P03P4L-11-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型MOSFET器件， 采用Trench工艺制造， 适用于各种电源管理应用场景。 TO252； P—Channel沟道, -30V； -60A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
IPD50P03P4L-11-VB特性
暂无产品特性。
IPD50P03P4L-11-VB应用领域
暂无应用领域。