IPD50N10S3L16ATMA2-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD50N10S3L16ATMA2-HXY
该N沟道场效应管具备100V漏源耐压与60A连续电流承载能力， 导通电阻典型值为13.5mΩ。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池管理系统中的功率切换单元。 在高频工作环境下， 器件能有效控制温升， 适合高功率密度直流变换器设计， 满足对效率要求严格的负载控制与能量转换应用需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IPD50N10S3L16ATMA2-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IPD50N10S3L16ATMA2-HXY概述
该N沟道场效应管具备100V漏源耐压与60A连续电流承载能力， 导通电阻典型值为13.5mΩ。 低导通损耗特性使其适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池管理系统中的功率切换单元。 在高频工作环境下， 器件能有效控制温升， 适合高功率密度直流变换器设计， 满足对效率要求严格的负载控制与能量转换应用需求。
IPD50N10S3L16ATMA2-HXY特性
暂无产品特性。
IPD50N10S3L16ATMA2-HXY应用领域
暂无应用领域。