IPD50N06S4L12ATMA2-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD50N06S4L12ATMA2-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO252； N—Channel沟道, 60V； 58A； RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=2.5V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
10
货期
现货
IPD50N06S4L12ATMA2-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPD50N06S4L12ATMA2-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO252； N—Channel沟道, 60V； 58A； RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=2.5V； 采用Trench技术
IPD50N06S4L12ATMA2-VB特性
暂无产品特性。
IPD50N06S4L12ATMA2-VB应用领域
暂无应用领域。