IPD50N04S408ATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD50N04S408ATMA1-HXY
该N沟道场效应管具备60A连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为40V, 导通电阻低至7.7mΩ。 极低的内阻特性显著降低了导通损耗与发热量, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池保护电路。 在高负载切换场景中, 它能提供高效的电能传输与控制, 确保系统在紧凑空间内维持稳定的热性能与电气可靠性。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
46
货期
现货
IPD50N04S408ATMA1-HXYParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
IPD50N04S408ATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管具备60A连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为40V, 导通电阻低至7.7mΩ。 极低的内阻特性显著降低了导通损耗与发热量, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池保护电路。 在高负载切换场景中, 它能提供高效的电能传输与控制, 确保系统在紧凑空间内维持稳定的热性能与电气可靠性。
IPD50N04S408ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD50N04S408ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
