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IPD50N04S408ATMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD50N04S408ATMA1-HXY

该N沟道场效应管具备60A连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为40V, 导通电阻低至7.7mΩ。 极低的内阻特性显著降低了导通损耗与发热量, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池保护电路。 在高负载切换场景中, 它能提供高效的电能传输与控制, 确保系统在紧凑空间内维持稳定的热性能与电气可靠性。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-252-2L

Stock

46

货期

现货

IPD50N04S408ATMA1-HXYParameters

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存46

IPD50N04S408ATMA1-HXY概述

该N沟道场效应管具备60A连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为40V, 导通电阻低至7.7mΩ。 极低的内阻特性显著降低了导通损耗与发热量, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池保护电路。 在高负载切换场景中, 它能提供高效的电能传输与控制, 确保系统在紧凑空间内维持稳定的热性能与电气可靠性。

IPD50N04S408ATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPD50N04S408ATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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