IPD50N04S4-08-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通能力和稳定性能， 适用于多种中高功率电子系统。 其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A， 漏源电压VDSS为40V， 导通电阻RDON低至7.7mΩ， 有效降低导通损耗并提升整体效率。 器件采用优化设计， 具备良好的热管理特性与耐用性， 适用于电源转换器、储能系统、负载开关及高性能计算设备中的功率控制单元， 满足对能效和可靠性有较高要求的应用场景。