IPD50N03S4L06ATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD50N03S4L06ATMA1-HXY
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧。 低导通电阻有效降低导通损耗， 适用于高效率、大电流的电源转换场合， 例如直流-直流变换器、负载开关及便携式设备中的功率管理模块。 其电气特性支持在高频开关条件下保持较低温升， 有助于优化系统热设计与能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
163
货期
现货
IPD50N03S4L06ATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 163 |
IPD50N03S4L06ATMA1-HXY概述
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧。 低导通电阻有效降低导通损耗， 适用于高效率、大电流的电源转换场合， 例如直流-直流变换器、负载开关及便携式设备中的功率管理模块。 其电气特性支持在高频开关条件下保持较低温升， 有助于优化系统热设计与能效表现。
IPD50N03S4L06ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD50N03S4L06ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。