IPD50N03S2L06ATMA1
IC
TO-252
可供量大可议
IPD50N03S2L06ATMA1
特性：N沟道逻辑电平。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1， 最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色封装（无铅）。 超低导通电阻Rds(on)。 100%雪崩测试
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
10
货期
现货
IPD50N03S2L06ATMA1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPD50N03S2L06ATMA1概述
特性：N沟道逻辑电平。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1， 最高峰值回流温度260℃。 工作温度175℃。 绿色封装（无铅）。 超低导通电阻Rds(on)。 100%雪崩测试
IPD50N03S2L06ATMA1特性
暂无产品特性。
IPD50N03S2L06ATMA1应用领域
暂无应用领域。