IPD50N03S207ATMA1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）， 以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻使其在大电流工作状态下能有效抑制功耗与温升， 适用于对效率和热管理要求较高的功率开关场合。 典型应用包括高效率直流-直流转换器、电池供电系统及高频率同步整流电路， 可在紧凑型设计中实现稳定可靠的性能表现。