IPD380P06NMATMA1-HXY

P沟道场效应管（MOSFET）具备60V漏源耐压（VDSS）与30A连续漏极电流（ID）能力， 适用于多种中高功率电源管理应用。 其导通电阻（RDON）低至29mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高能效。 该器件采用P沟道结构， 常用于直流电源转换、负载开关控制、电池管理系统及电机驱动电路。 凭借良好的电气性能和稳定性， 适用于通信设备、消费类电子产品及智能家电中的电源模块设计。