IPD380P06NMATMA1
IC
TO-252
可供量大可议
IPD380P06NMATMA1
特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 正常电平。 增强模式。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
331
货期
现货
IPD380P06NMATMA1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 331 |
IPD380P06NMATMA1概述
特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 正常电平。 增强模式。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPD380P06NMATMA1特性
暂无产品特性。
IPD380P06NMATMA1应用领域
暂无应用领域。