IPD35N10S3L26ATMA2-HXY

该N沟道场效应管具备100V漏源击穿电压与40A连续漏极电流承载能力， 导通电阻典型值为20mΩ。 低导通损耗特性使其适用于高电流开关场景， 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元。 器件在高频开关应用中能保持较低温升， 适合对效率要求严格的直流-直流变换器设计， 满足大电流负载下的稳定导通需求。