IPD35N10S3L26ATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD35N10S3L26ATMA1-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为40A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为20毫欧。 器件凭借适中的电流承载能力与较低的导通损耗, 适用于中等功率直流转换模块、电动滑板车控制器及各类便携式设备的电源管理电路。 其参数特性有助于优化开关效率, 减少发热, 为系统提供稳定的功率切换与负载驱动支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
39
货期
现货
IPD35N10S3L26ATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 39 |
IPD35N10S3L26ATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为40A, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻为20毫欧。 器件凭借适中的电流承载能力与较低的导通损耗, 适用于中等功率直流转换模块、电动滑板车控制器及各类便携式设备的电源管理电路。 其参数特性有助于优化开关效率, 减少发热, 为系统提供稳定的功率切换与负载驱动支持。
IPD35N10S3L26ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD35N10S3L26ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
