IPD35N10S3L26
IC
TO-252
可供量大可议
IPD35N10S3L26
特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
1
货期
现货
IPD35N10S3L26参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPD35N10S3L26概述
特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 符合RoHS标准。 100%雪崩测试
IPD35N10S3L26特性
暂无产品特性。
IPD35N10S3L26应用领域
暂无应用领域。