IPD350N06LGBTMA1
自营可供
IC
TO-252
IPD350N06LGBTMA1
场效应管(MOSFET) 68W 60V 29A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
TO-252
交期
现货
批次
两年内
IPD350N06LGBTMA1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 800pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,477 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@5V |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF |
| 类型 | N沟道 |
IPD350N06LGBTMA1概述
场效应管(MOSFET) 68W 60V 29A 1个N沟道