IPD320N20N3G-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD320N20N3G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型场效应管， 采用Trench技术， 适用于电源管理模块、通信设备模块、汽车电子模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 200V； 30A； RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
77
货期
现货
IPD320N20N3G-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 77 |
IPD320N20N3G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型场效应管， 采用Trench技术， 适用于电源管理模块、通信设备模块、汽车电子模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 200V； 30A； RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
IPD320N20N3G-VB特性
暂无产品特性。
IPD320N20N3G-VB应用领域
暂无应用领域。