IPD30N12S3L-31
IC
TO-252-3
可供量大可议
IPD30N12S3L-31
特性：适用于汽车应用的功率MOSFET， N沟道。 增强模式。 通过汽车AEC Q101认证。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
品牌
Infineon
封装
TO-252-3
库存
132
货期
现货
IPD30N12S3L-31参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 132 |
IPD30N12S3L-31概述
特性：适用于汽车应用的功率MOSFET， N沟道。 增强模式。 通过汽车AEC Q101认证。 MSL1， 最高260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
IPD30N12S3L-31特性
暂无产品特性。
IPD30N12S3L-31应用领域
暂无应用领域。