IPD30N06S4L23ATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD30N06S4L23ATMA1-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为50A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻仅15毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通损耗特性使其在大电流开关场景中表现优异, 适用于电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统等需要高效能功率控制的设备, 能够满足高频率切换与稳定负载的处理需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IPD30N06S4L23ATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IPD30N06S4L23ATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为50A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻仅15毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通损耗特性使其在大电流开关场景中表现优异, 适用于电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统等需要高效能功率控制的设备, 能够满足高频率切换与稳定负载的处理需求。
IPD30N06S4L23ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD30N06S4L23ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
