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IPD30N06S4L23ATMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD30N06S4L23ATMA1-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为50A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻仅15毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通损耗特性使其在大电流开关场景中表现优异, 适用于电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统等需要高效能功率控制的设备, 能够满足高频率切换与稳定负载的处理需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

IPD30N06S4L23ATMA1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

IPD30N06S4L23ATMA1-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为50A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻仅15毫欧, 栅源电压耐受值20V。 低导通损耗特性使其在大电流开关场景中表现优异, 适用于电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统等需要高效能功率控制的设备, 能够满足高频率切换与稳定负载的处理需求。

IPD30N06S4L23ATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPD30N06S4L23ATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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