IPD30N06S3-24-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源击穿电压（VDSS）和30A的额定漏极电流（ID）， 适用于中高功率场景。 导通电阻（RDON）低至22mΩ， 有助于降低导通损耗并提升系统效率。 该器件采用标准封装， 具备良好的热稳定性和耐用性， 适合用于电源管理、开关电路、电机控制及LED驱动等多种电子设备中， 为电路设计提供可靠的基础支持。