IPD30N06S2L-23-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD30N06S2L-23-HXY
IPD30N06S2L-23 是一款高功率N沟道MOSFET， 封装类型为TO-252-2L， 专为高密度电源应用设计。 该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)， 并能在满载下处理50A的强大连续电流(ID)， 且拥有优秀的导通特性， 导通电阻仅为15mR(RD(on))， 从而大大减少了功率损耗， 提高了系统效率。 广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等对效率要求较高的场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
225
货期
现货
IPD30N06S2L-23-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 225 |
IPD30N06S2L-23-HXY概述
IPD30N06S2L-23 是一款高功率N沟道MOSFET， 封装类型为TO-252-2L， 专为高密度电源应用设计。 该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)， 并能在满载下处理50A的强大连续电流(ID)， 且拥有优秀的导通特性， 导通电阻仅为15mR(RD(on))， 从而大大减少了功率损耗， 提高了系统效率。 广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等对效率要求较高的场合。
IPD30N06S2L-23-HXY特性
暂无产品特性。
IPD30N06S2L-23-HXY应用领域
暂无应用领域。