IPD30N03S2L10ATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD30N03S2L10ATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7mΩ。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。 器件结构支持高频开关操作， 在负载切换、同步整流及高效DC-DC转换等应用中表现稳定可靠。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
99
货期
现货
IPD30N03S2L10ATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
IPD30N03S2L10ATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7mΩ。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。 器件结构支持高频开关操作， 在负载切换、同步整流及高效DC-DC转换等应用中表现稳定可靠。
IPD30N03S2L10ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD30N03S2L10ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。