IPD25DP06NM-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD25DP06NM-HXY
这款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET， 专为中等电压、大电流应用设计。 器件具有60V额定电压和10A连续电流处理能力， 适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统等场合， 提供出色的导通性能与低损耗特性， 是现代电子设备高效能功率管理的理想解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
3
货期
现货
IPD25DP06NM-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
IPD25DP06NM-HXY概述
这款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET， 专为中等电压、大电流应用设计。 器件具有60V额定电压和10A连续电流处理能力， 适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统等场合， 提供出色的导通性能与低损耗特性， 是现代电子设备高效能功率管理的理想解决方案。
IPD25DP06NM-HXY特性
暂无产品特性。
IPD25DP06NM-HXY应用领域
暂无应用领域。