IPD25DP06NM
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD25DP06NM
ID:󗙻 𢺫 A, VDSS:𮧂 򏟋 V, RDON:񤗸 𢺫 mR, VGS:򘞟 򏟋 V, TYPE:P沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
25
货期
现货
IPD25DP06NM参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET/深圳华轩阳 |
| 批次 | 25+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
IPD25DP06NM概述
ID:󗙻 𢺫 A, VDSS:𮧂 򏟋 V, RDON:񤗸 𢺫 mR, VGS:򘞟 򏟋 V, TYPE:P沟道
IPD25DP06NM特性
暂无产品特性。
IPD25DP06NM应用领域
暂无应用领域。