IPD250N06N3GBTMA1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60V漏源击穿电压与30A连续漏极电流承载能力， 导通电阻低至22mΩ。 低导通损耗特性使其在直流电机驱动、电池管理系统及电源转换模块中表现优异， 能有效提升电路效率并降低热设计难度， 适用于各类高电流开关应用场景。