IPD230N06NGBTMA1-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V， 连续漏极电流达50A， 导通电阻15毫欧， 栅源电压耐受20V。 低导通阻抗有效减少功率损耗， 提升系统能效。 器件适用于高功率密度的开关电源、电池管理系统及电机驱动模块， 能够在紧凑布局下实现稳定高效的开关控制， 满足对热管理与电气性能有严格要求的电子设备设计需求。