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IPD19DP10NMATMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD19DP10NMATMA1-HXY

这款P沟道场效应管专为100V电压平台设计, 具备15A的持续电流处理能力。 其140mΩ的导通电阻有效降低了通路功耗, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了驱动电路的容错性。 器件利用空穴导电原理, 特别适合构建高侧电源开关, 常见于电池组的充放电保护、输入端防反接电路, 以及各类需要高效电源路径管理的便携设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

IPD19DP10NMATMA1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

IPD19DP10NMATMA1-HXY概述

这款P沟道场效应管专为100V电压平台设计, 具备15A的持续电流处理能力。 其140mΩ的导通电阻有效降低了通路功耗, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了驱动电路的容错性。 器件利用空穴导电原理, 特别适合构建高侧电源开关, 常见于电池组的充放电保护、输入端防反接电路, 以及各类需要高效电源路径管理的便携设备中。

IPD19DP10NMATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPD19DP10NMATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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