IPD19DP10NMATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD19DP10NMATMA1-HXY
这款P沟道场效应管专为100V电压平台设计, 具备15A的持续电流处理能力。 其140mΩ的导通电阻有效降低了通路功耗, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了驱动电路的容错性。 器件利用空穴导电原理, 特别适合构建高侧电源开关, 常见于电池组的充放电保护、输入端防反接电路, 以及各类需要高效电源路径管理的便携设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IPD19DP10NMATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IPD19DP10NMATMA1-HXY概述
这款P沟道场效应管专为100V电压平台设计, 具备15A的持续电流处理能力。 其140mΩ的导通电阻有效降低了通路功耗, 配合±20V的栅极电压耐受范围, 提升了驱动电路的容错性。 器件利用空穴导电原理, 特别适合构建高侧电源开关, 常见于电池组的充放电保护、输入端防反接电路, 以及各类需要高效电源路径管理的便携设备中。
IPD19DP10NMATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD19DP10NMATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
