IPD180N10N3GATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD180N10N3GATMA1-HXY
ID:60A, VDSS:100V, RDON:13.5mR, TYPE:N沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IPD180N10N3GATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IPD180N10N3GATMA1-HXY概述
ID:60A, VDSS:100V, RDON:13.5mR, TYPE:N沟道
IPD180N10N3GATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD180N10N3GATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。