IPD180N10N3GATMA1
IC
TO-252
可供量大可议
IPD180N10N3GATMA1
特性：N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证， 适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
277
货期
现货
IPD180N10N3GATMA1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 277 |
IPD180N10N3GATMA1概述
特性：N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证， 适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
IPD180N10N3GATMA1特性
暂无产品特性。
IPD180N10N3GATMA1应用领域
暂无应用领域。