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IPD16CN10NG-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD16CN10NG-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为60A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻典型值13.5毫欧。 器件凭借适中的导通阻抗与电流承载能力, 适用于中等功率直流变换器、便携式设备电源管理及照明驱动电路。 在开关应用中, 其参数组合有助于平衡导通损耗与成本, 满足各类电子系统对功率切换稳定性的基础需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

IPD16CN10NG-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

IPD16CN10NG-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为60A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻典型值13.5毫欧。 器件凭借适中的导通阻抗与电流承载能力, 适用于中等功率直流变换器、便携式设备电源管理及照明驱动电路。 在开关应用中, 其参数组合有助于平衡导通损耗与成本, 满足各类电子系统对功率切换稳定性的基础需求。

IPD16CN10NG-HXY特性

暂无产品特性。

IPD16CN10NG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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