IPD16CN10NG-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD16CN10NG-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为60A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻典型值13.5毫欧。 器件凭借适中的导通阻抗与电流承载能力, 适用于中等功率直流变换器、便携式设备电源管理及照明驱动电路。 在开关应用中, 其参数组合有助于平衡导通损耗与成本, 满足各类电子系统对功率切换稳定性的基础需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
IPD16CN10NG-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
IPD16CN10NG-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为60A, 漏源击穿电压100V, 导通电阻典型值13.5毫欧。 器件凭借适中的导通阻抗与电流承载能力, 适用于中等功率直流变换器、便携式设备电源管理及照明驱动电路。 在开关应用中, 其参数组合有助于平衡导通损耗与成本, 满足各类电子系统对功率切换稳定性的基础需求。
IPD16CN10NG-HXY特性
暂无产品特性。
IPD16CN10NG-HXY应用领域
暂无应用领域。
