IPD160N04LG-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具有良好的导通特性和高频响应能力。 其主要参数包括：漏极电流ID为30A， 漏源击穿电压VDSS为40V， 导通电阻RDON低至18mΩ， 有助于降低导通损耗并提高系统效率。 适用于电源管理、开关电路、负载控制及直流电机驱动等场景， 支持高密度和高效能的电路设计需求， 是一款性能稳定、适用范围广泛的功率器件。