IPD135N08N3GATMA1
IC
TO-252-3
可供量大可议
IPD135N08N3GATMA1
特性：适用于高频开关。 针对DC/DC转换器优化的技术。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 N沟道， 正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TO-252-3
库存
25
货期
现货
IPD135N08N3GATMA1参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
IPD135N08N3GATMA1概述
特性：适用于高频开关。 针对DC/DC转换器优化的技术。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 N沟道， 正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IPD135N08N3GATMA1特性
暂无产品特性。
IPD135N08N3GATMA1应用领域
暂无应用领域。