IPD135N03LGATMA1
自营可供
IC
TO-252-3
IPD135N03LGATMA1
功率场效应管 MOSFET N通道 30 V 30 A 0.0113 ohm TO-252 (DPAK)
品牌
Infineon
封装
TO-252-3
交期
现货
批次
26+
IPD135N03LGATMA1参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 驱动电压（最大 Rds On， 最小 Rds On） | 4.5V， 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 封装/外壳 | TO-252-3， DPak（2 引线 + 接片）， SC-63 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6,247 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13.5 毫欧 @ 30A， 10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 31W（Tc） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
IPD135N03LGATMA1概述
功率场效应管 MOSFET N通道 30 V 30 A 0.0113 ohm TO-252 (DPAK)