IPD127N06LGBTMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD127N06LGBTMA1-HXY
该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压与50A连续漏极电流承载能力, 导通电阻低至11毫欧。 低内阻特性显著降低导通损耗, 提升电能转换效率。 器件适用于高电流密度的电源管理模块、直流电机驱动及电池保护电路, 能够在紧凑空间内实现高效开关控制, 满足对热性能与功率密度有严格要求的电子设备设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IPD127N06LGBTMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IPD127N06LGBTMA1-HXY概述
该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压与50A连续漏极电流承载能力, 导通电阻低至11毫欧。 低内阻特性显著降低导通损耗, 提升电能转换效率。 器件适用于高电流密度的电源管理模块、直流电机驱动及电池保护电路, 能够在紧凑空间内实现高效开关控制, 满足对热性能与功率密度有严格要求的电子设备设计需求。
IPD127N06LGBTMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD127N06LGBTMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
