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IPD127N06LGBTMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD127N06LGBTMA1-HXY

该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压与50A连续漏极电流承载能力, 导通电阻低至11毫欧。 低内阻特性显著降低导通损耗, 提升电能转换效率。 器件适用于高电流密度的电源管理模块、直流电机驱动及电池保护电路, 能够在紧凑空间内实现高效开关控制, 满足对热性能与功率密度有严格要求的电子设备设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

IPD127N06LGBTMA1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

IPD127N06LGBTMA1-HXY概述

该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压与50A连续漏极电流承载能力, 导通电阻低至11毫欧。 低内阻特性显著降低导通损耗, 提升电能转换效率。 器件适用于高电流密度的电源管理模块、直流电机驱动及电池保护电路, 能够在紧凑空间内实现高效开关控制, 满足对热性能与功率密度有严格要求的电子设备设计需求。

IPD127N06LGBTMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPD127N06LGBTMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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