IPD110N12N3G-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD110N12N3G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应管， 适用于多种应用场景， 采用Trench工艺， 适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。 TO252； N—Channel沟道, 100V； 15A； RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3.5V
Brand
VBsemi
Package
TO-252
Stock
50
货期
现货
IPD110N12N3G-VBParameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
IPD110N12N3G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应管， 适用于多种应用场景， 采用Trench工艺， 适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。 TO252； N—Channel沟道, 100V； 15A； RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3.5V
IPD110N12N3G-VB特性
暂无产品特性。
IPD110N12N3G-VB应用领域
暂无应用领域。