IPD110N12N3 G
IC
TO-252-3
可供量大可议
IPD110N12N3 G
特性：N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤素。 适用于高频开关和同步整流
品牌
Infineon
封装
TO-252-3
库存
290
货期
现货
IPD110N12N3 G参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 290 |
IPD110N12N3 G概述
特性：N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤素。 适用于高频开关和同步整流
IPD110N12N3 G特性
暂无产品特性。
IPD110N12N3 G应用领域
暂无应用领域。