IPD100N06S403ATMA2-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V， 栅源电压耐受值达20V， 支持130A连续漏极电流， 导通电阻仅为3mΩ。 极低内阻显著降低大电流下的导通损耗与温升。 器件适用于高功率密度电源、电池储能系统及重型电机驱动等场景， 能够在严苛负载条件下实现高效电能切换与稳定功率传输。