IPD100N06S403ATMA1-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为130A， 漏源击穿电压60V， 导通电阻低至3毫欧， 栅源电压耐受值20V。 凭借低导通损耗特性， 器件适用于大电流开关场景， 如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。 其参数设计旨在优化能效表现， 满足高功率密度应用对热管理和电气稳定性的严苛要求， 确保在持续高负载工况下维持可靠运行。