IPD096N08N3GATMA1
IC
TO-252
可供量大可议
IPD096N08N3GATMA1
特性：适用于高频开关。 针对DC/DC转换器进行技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数FOM）。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
1,589
货期
现货
IPD096N08N3GATMA1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1589 |
IPD096N08N3GATMA1概述
特性：适用于高频开关。 针对DC/DC转换器进行技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积（品质因数FOM）。 N沟道， 正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPD096N08N3GATMA1特性
暂无产品特性。
IPD096N08N3GATMA1应用领域
暂无应用领域。