IPD082N10N3G
IC
TO-252
可供量大可议
IPD082N10N3G
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品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
48
货期
现货
IPD082N10N3G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 22+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
IPD082N10N3G概述
N—Channel沟道, 󗙻 򏟋 򏟋 V, 𛾾 򏟋 A, RDS(ON), 񤗸 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򬓹 񄂹 <span class="text-search">򘞟 V</span>th(V) 封装：TO򘞟 𢺫 򘞟
IPD082N10N3G特性
暂无产品特性。
IPD082N10N3G应用领域
暂无应用领域。