IPD075N03LGBTMA1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗， 适用于高效率电源转换、电机驱动、电池充放电控制及大电流开关电路等应用。 器件在高电流负载下仍能维持较低温升， 具备良好的热稳定性和可靠的开关特性， 适合对功率密度和能效有较高要求的电子系统。