IPD068P03L3G-VB
IC
TO-252
可供量大可议
IPD068P03L3G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于多种领域和模块。 TO252； P—Channel沟道, -30V； -60A； RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
14
货期
现货
IPD068P03L3G-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14 |
IPD068P03L3G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于多种领域和模块。 TO252； P—Channel沟道, -30V； -60A； RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=-1~-3V
IPD068P03L3G-VB特性
暂无产品特性。
IPD068P03L3G-VB应用领域
暂无应用领域。