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IPD068P03L3G-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD068P03L3G-HXY

本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装, 具有30V额定电压和高达80A的连续电流承载能力。 适用于中高功率的电源转换、电机驱动及反向电流保护等应用场景, 凭借卓越性能与稳定性, 为电路设计提供强大而高效的开关控制解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

2

货期

现货

IPD068P03L3G-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

IPD068P03L3G-HXY概述

本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装, 具有30V额定电压和高达80A的连续电流承载能力。 适用于中高功率的电源转换、电机驱动及反向电流保护等应用场景, 凭借卓越性能与稳定性, 为电路设计提供强大而高效的开关控制解决方案。

IPD068P03L3G-HXY特性

暂无产品特性。

IPD068P03L3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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