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IPD068P03L3G(UMW)
IC

TO-252

可供量大可议

IPD068P03L3G(UMW)

特性:VDS(V)=-30V。 ID =-70A(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 6.8mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 11mΩ(VGS =-4.5V)。 175°C工作温度。 100%雪崩测试。 无铅; 符合RoHS标准, 无卤素

品牌

UMW

封装

TO-252

库存

1,655

货期

现货

IPD068P03L3G(UMW)参数

封装TO-252
品牌UMW(友台半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存1655

IPD068P03L3G(UMW)概述

特性:VDS(V)=-30V。 ID =-70A(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 6.8mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 11mΩ(VGS =-4.5V)。 175°C工作温度。 100%雪崩测试。 无铅; 符合RoHS标准, 无卤素

IPD068P03L3G(UMW)特性

暂无产品特性。

IPD068P03L3G(UMW)应用领域

暂无应用领域。

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