IPD068P03L3G(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
IPD068P03L3G(UMW)
特性:VDS(V)=-30V。 ID =-70A(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 6.8mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 11mΩ(VGS =-4.5V)。 175°C工作温度。 100%雪崩测试。 无铅; 符合RoHS标准, 无卤素
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
1,655
货期
现货
IPD068P03L3G(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1655 |
IPD068P03L3G(UMW)概述
特性:VDS(V)=-30V。 ID =-70A(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 6.8mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 11mΩ(VGS =-4.5V)。 175°C工作温度。 100%雪崩测试。 无铅; 符合RoHS标准, 无卤素
IPD068P03L3G(UMW)特性
暂无产品特性。
IPD068P03L3G(UMW)应用领域
暂无应用领域。
