IPD068N10N3G(UMW)
IC
TO-252
可供量大可议
IPD068N10N3G(UMW)
特性：VDS(V) = 100V。 ID = 90A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 6.8mΩ (VGS = 10V)。 出色的栅极电荷 x RDS(ON) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(ON)。 175℃工作温度。 适用于高频开关和同步整流
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
520
货期
现货
IPD068N10N3G(UMW)参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 520 |
IPD068N10N3G(UMW)概述
特性：VDS(V) = 100V。 ID = 90A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 6.8mΩ (VGS = 10V)。 出色的栅极电荷 x RDS(ON) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(ON)。 175℃工作温度。 适用于高频开关和同步整流
IPD068N10N3G(UMW)特性
暂无产品特性。
IPD068N10N3G(UMW)应用领域
暂无应用领域。