IPD068N10N3G
IC
可供量大可议
IPD068N10N3G
N—Channel沟道, 100V, 100A, RDS(ON), 6mΩ@10V, 7mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)； 2.35Vth(V) 封装：TO252
品牌
VBsemi
封装
库存
70
货期
现货
IPD068N10N3G参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
|---|---|
| 批次 | 22+ |
IPD068N10N3G概述
N—Channel沟道, 100V, 100A, RDS(ON), 6mΩ@10V, 7mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)； 2.35Vth(V) 封装：TO252
IPD068N10N3G特性
暂无产品特性。
IPD068N10N3G应用领域
暂无应用领域。