IPD053N08N3G
IC
TO-252
可供量大可议
IPD053N08N3G
N—Channel沟道, 򑵼 򏟋 V, 󗙻 󗙻 򏟋 A, RDS(ON), 𢺫 񄂹 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 󗙻 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 񄂹 򑵼 񤗸 Vth(V) 封装：TO򘞟 𢺫 򘞟
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
36
货期
现货
IPD053N08N3G参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
IPD053N08N3G概述
N—Channel沟道, 򑵼 򏟋 V, 󗙻 󗙻 򏟋 A, RDS(ON), 𢺫 񄂹 𢺫 mΩ@󗙻 򏟋 V, 󗙻 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򘞟 񄂹 򑵼 񤗸 Vth(V) 封装：TO򘞟 𢺫 򘞟
IPD053N08N3G特性
暂无产品特性。
IPD053N08N3G应用领域
暂无应用领域。