IPD053N06NATMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD053N06NATMA1-HXY
这款N沟道场效应管具备60V的漏源击穿电压和120A的连续漏极电流处理能力, 专为高功率密度应用设计。 其导通电阻低至4.5mΩ, 能显著降低大电流工况下的功率损耗与热积累。 器件支持±20V的栅源驱动电压, 结合优异的开关响应特性, 能够适应高频电路的精确控制需求。 凭借低损耗与高可靠性的表现, 该器件广泛应用于无刷电机驱动、大功率开关电源、电池管理系统及高性能逆变器等对电流处理能力有严苛要求的电路场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
27
货期
现货
IPD053N06NATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 27 |
IPD053N06NATMA1-HXY概述
这款N沟道场效应管具备60V的漏源击穿电压和120A的连续漏极电流处理能力, 专为高功率密度应用设计。 其导通电阻低至4.5mΩ, 能显著降低大电流工况下的功率损耗与热积累。 器件支持±20V的栅源驱动电压, 结合优异的开关响应特性, 能够适应高频电路的精确控制需求。 凭借低损耗与高可靠性的表现, 该器件广泛应用于无刷电机驱动、大功率开关电源、电池管理系统及高性能逆变器等对电流处理能力有严苛要求的电路场景。
IPD053N06NATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD053N06NATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
