IPD053N06N3GBTMA1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
IPD053N06N3GBTMA1-HXY
这款N沟道场效应管专为高功率密度场景设计, 在60V耐压规格下实现了120A的超大电流承载能力。 其核心优势在于极低的导通电阻(4.5mΩ), 能有效抑制大电流下的热损耗。 配合20V的栅源电压范围, 该器件在响应速度与控制稳定性之间取得了良好平衡。 它非常适合应用于各类高效电源转换模块、无刷电机驱动系统以及大功率负载开关电路, 能够显著提升系统的整体能效与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
IPD053N06N3GBTMA1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
IPD053N06N3GBTMA1-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高功率密度场景设计, 在60V耐压规格下实现了120A的超大电流承载能力。 其核心优势在于极低的导通电阻(4.5mΩ), 能有效抑制大电流下的热损耗。 配合20V的栅源电压范围, 该器件在响应速度与控制稳定性之间取得了良好平衡。 它非常适合应用于各类高效电源转换模块、无刷电机驱动系统以及大功率负载开关电路, 能够显著提升系统的整体能效与可靠性。
IPD053N06N3GBTMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPD053N06N3GBTMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
