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IPD053N06N3GBTMA1-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

IPD053N06N3GBTMA1-HXY

这款N沟道场效应管专为高功率密度场景设计, 在60V耐压规格下实现了120A的超大电流承载能力。 其核心优势在于极低的导通电阻(4.5mΩ), 能有效抑制大电流下的热损耗。 配合20V的栅源电压范围, 该器件在响应速度与控制稳定性之间取得了良好平衡。 它非常适合应用于各类高效电源转换模块、无刷电机驱动系统以及大功率负载开关电路, 能够显著提升系统的整体能效与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

IPD053N06N3GBTMA1-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

IPD053N06N3GBTMA1-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高功率密度场景设计, 在60V耐压规格下实现了120A的超大电流承载能力。 其核心优势在于极低的导通电阻(4.5mΩ), 能有效抑制大电流下的热损耗。 配合20V的栅源电压范围, 该器件在响应速度与控制稳定性之间取得了良好平衡。 它非常适合应用于各类高效电源转换模块、无刷电机驱动系统以及大功率负载开关电路, 能够显著提升系统的整体能效与可靠性。

IPD053N06N3GBTMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPD053N06N3GBTMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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